Semiconductor device
WO2010052770
Art A1
14. Mai 2010
Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2010052770
- Aktenzeichen
- EP08877965
- Anmeldetag
- 5. November 2008
- Veröffentlichung
- 14. Mai 2010
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H04M1/02G06K17/00H04B5/02H04M1/675
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Renesas Electronics Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Electronics
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
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