Spin Torque Transfer Cell Structure Utilizing Field-Induced Antiferromagnetic Or Ferromagnetic Coupling

WO2010053713 Art A1 14. Mai 2010

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010053713
Aktenzeichen: EP09741548
Anmeldetag: 22. Oktober 2009
Veröffentlichung: 14. Mai 2010
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/16G01R33/09H01F10/32H04L27/156

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Nachrichtentechnik & Telekommunikation

Vertreten von