Thin p-type gallium nitride and aluminum gallium nitride electron-blocking layer free gallium nitride-based light emitting diodes

WO2010053880 Art A1 14. Mai 2010

Anmelder: The Regents of the University of California 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010053880
Aktenzeichen: EP09825290
Anmeldetag: 2. November 2009
Veröffentlichung: 14. Mai 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/335

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Anmelder

Firma: The Regents of the University of California
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 University of California

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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