Optimized compressive sige channel pmos transistor with engineered ge profile and optimized silicon cap layer

WO2010056433 Art A2 20. Mai 2010

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010056433
Aktenzeichen: EP09826493
Anmeldetag: 5. Oktober 2009
Veröffentlichung: 20. Mai 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

2.392 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von