Silicided Trench Contact To Buried Conductive Layer

WO2010056502 Art A1 20. Mai 2010

Anmelder: International Business Machines Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010056502
Aktenzeichen: EP09826534
Anmeldetag: 27. Oktober 2009
Veröffentlichung: 20. Mai 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: International Business Machines Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 IBM

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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