Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2010058746
Art A1
27. Mai 2010
Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2010058746
- Aktenzeichen
- EP09827527
- Anmeldetag
- 9. November 2009
- Veröffentlichung
- 27. Mai 2010
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/786G02F1/1345G02F1/1368H01L21/28H01L29/417H01L29/423H01L29/49H01L51/50
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Semiconductor Energy Laboratory
Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.
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