Semiconductor device and manufacturing method thereof

WO2010058746 Art A1 27. Mai 2010

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2010058746
Aktenzeichen
EP09827527
Anmeldetag
9. November 2009
Veröffentlichung
27. Mai 2010
Rechtsraum
WO
IPC
H01L29/786G02F1/1345G02F1/1368H01L21/28H01L29/417H01L29/423H01L29/49H01L51/50
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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