Nitride Semiconductor

WO2010058820 Art A1 27. Mai 2010

Anmelder: Mitsubishi Chemical Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010058820
Aktenzeichen: EP09827601
Anmeldetag: 19. November 2009
Veröffentlichung: 27. Mai 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205H01L33/32

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Mitsubishi Chemical Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Mitsubishi Chemical

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, Teil der Mitsubishi-Chemical-Gruppe. Das Unternehmen entwickelt Grund- und Spezialchemikalien, Kunststoffe, Materialien für Elektronik und Energiespeicher sowie Pharma- und Life-Science-Produkte.

2.926 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von