Power mos transistor device and switch apparatus comprising the same

WO2010061244 Art A1 3. Juni 2010

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010061244
Aktenzeichen: EP08875950
Anmeldetag: 27. November 2008
Veröffentlichung: 3. Juni 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/10H01L29/06H01L23/485

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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