Method for producing semiconductor substrate, semiconductor substrate, method for manufacturing electronic device, and reaction apparatus

WO2010061615 Art A1 3. Juni 2010

Anmelder: Sumitomo Chemical Company, Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010061615
Aktenzeichen: EP09828865
Anmeldetag: 26. November 2009
Veröffentlichung: 3. Juni 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/26H01L21/20H01L21/205H01L21/268H01L21/331H01L21/336H01L21/338H01L21/8222H01L21/8234H01L21/8248H01L27/06H01L27/088H01L29/737H01L29/778H01L29/78H01L29/786H01L29/812

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Chemical Company, Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Chemical

Japanischer Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Petrochemie, Agrochemie, Pharmazeutika, Elektronikmaterialien, Energiematerialien und Kunststoffen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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