Composition for forming gate dielectric of thin film transistor

WO2010061886 Art A1 3. Juni 2010

Anmelder: Nissan Chemical Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010061886
Aktenzeichen: EP09829131
Anmeldetag: 26. November 2009
Veröffentlichung: 3. Juni 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786C08G18/80H01L21/336H01L51/05H01L51/30

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Nissan Chemical Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nissan Chemical Corporation

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, das agrochemische Wirkstoffe, elektronische Materialien sowie Feinchemikalien für die Halbleiterindustrie herstellt. Das Unternehmen wurde 1887 gegründet und hieß bis 2015 Nissan Chemical Industries.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Kunststoff- & Polymertechnik

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