Methods for selective permeation of self-assembled block copolymers with metal oxides, methods for forming metal oxide structures, and semiconductor structures including same
WO2010062568
Art A2
3. Juni 2010
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2010062568
- Aktenzeichen
- EP09829574
- Anmeldetag
- 26. Oktober 2009
- Veröffentlichung
- 3. Juni 2010
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C01B13/14C08J5/18C08L39/08C08L25/08C08K3/22
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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