Ingot formed from basic ingots, wafer made from said ingot, and associated method

WO2010063636 Art A1 10. Juni 2010

Anmelder: S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010063636
Aktenzeichen: EP09760859
Anmeldetag: 26. November 2009
Veröffentlichung: 10. Juni 2010
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/06C30B33/06H01L21/18C30B29/08H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies

S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies war ein französischer Hersteller von Silizium-auf-Isolator-Wafern für die Halbleiterindustrie, das heutige Unternehmen firmiert als Soitec. Der Patentbestand konzentriert sich fast ausschließlich auf Halbleiterbauelemente und Waferbondverfahren.

323 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von