Upper heater for manufacturing single crystal, single crystal manufacturing apparatus and single crystal manufacturing method
WO2010064354
Art A1
10. Juni 2010
Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2010064354
- Aktenzeichen
- EP09830125
- Anmeldetag
- 8. Oktober 2009
- Veröffentlichung
- 10. Juni 2010
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B15/14C30B29/06H05B3/14H05B3/64
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
1.022 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.