Semiconductor device and manufacturing method thereof

WO2010064590 Art A1 10. Juni 2010

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010064590
Aktenzeichen: EP09830356
Anmeldetag: 24. November 2009
Veröffentlichung: 10. Juni 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/28H01L29/41H01L29/417

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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