Rf device and method with trench under bond pad feature

WO2010065415 Art A2 10. Juni 2010

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010065415
Aktenzeichen: EP09830907
Anmeldetag: 25. November 2009
Veröffentlichung: 10. Juni 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/60H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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