Method for manufacturing semiconductor device

WO2010067517 Art A1 17. Juni 2010

Anmelder: Hitachi Kokusai Electric Inc. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010067517
Aktenzeichen: EP09831625
Anmeldetag: 11. November 2009
Veröffentlichung: 17. Juni 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20H01L21/02H01L21/205H01L21/336H01L21/8234H01L27/00H01L27/088H01L27/12H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Hitachi Kokusai Electric Inc.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi

Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.

21.154 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen