Semiconductor device, process for producing semiconductor device, semiconductor substrate, and process for producing semiconductor substrate

WO2010067525 Art A1 17. Juni 2010

Anmelder: Sumitomo Chemical Company, Limited, The University of Tokyo, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, National Institute for Materials Science 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010067525
Aktenzeichen: EP09831633
Anmeldetag: 27. November 2009
Veröffentlichung: 17. Juni 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L21/28H01L29/423H01L29/49H01L29/78H01L29/786H01L29/94

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Sumitomo Chemical Company, Limited
The University of Tokyo
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
National Institute for Materials Science
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Chemical

Japanischer Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Petrochemie, Agrochemie, Pharmazeutika, Elektronikmaterialien, Energiematerialien und Kunststoffen.

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🇯🇵 University of Tokyo

Japanische Universität mit Sitz in Tokio, eine der führenden Forschungsuniversitäten Asiens. Die Universität ist in nahezu allen wissenschaftlichen und technischen Disziplinen aktiv, darunter Materialwissenschaften, Elektrotechnik, Biotechnologie und Medizin.

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🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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🇯🇵 National Institute for Materials Science

Japanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Tsukuba, das auf Materialwissenschaft und Werkstoffforschung spezialisiert ist.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von