Tantalum nitride film formation method and film formation device therefore

WO2010067778 Art A1 17. Juni 2010

Anmelder: Ulvac, Inc. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010067778
Aktenzeichen: EP09831882
Anmeldetag: 7. Dezember 2009
Veröffentlichung: 17. Juni 2010
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/34H01L21/285

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Ulvac, Inc.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 ULVAC

Japanisches Unternehmen mit Sitz in Chigasaki, spezialisiert auf Vakuumtechnik sowie Anlagen für die Halbleiter- und Displayfertigung.

1.137 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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