Immersive oxidation and etching process for cleaning silicon electrodes

WO2010068753 Art A2 17. Juni 2010

Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2010068753
Aktenzeichen
EP09832536
Anmeldetag
10. Dezember 2009
Veröffentlichung
17. Juni 2010
Rechtsraum
WO
IPC
H05H1/34H05H1/42
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
LAM Research Corporation
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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