Immersive oxidation and etching process for cleaning silicon electrodes
WO2010068753
Art A2
17. Juni 2010
Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2010068753
- Aktenzeichen
- EP09832536
- Anmeldetag
- 10. Dezember 2009
- Veröffentlichung
- 17. Juni 2010
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H05H1/34H05H1/42
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LAM Research Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
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