High power semiconductor device for wireless applictions and method of forming a high power semiconductor device

WO2010070390 Art A1 24. Juni 2010

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010070390
Aktenzeichen: EP08875965
Anmeldetag: 16. Dezember 2008
Veröffentlichung: 24. Juni 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/498H01L23/538H01L23/64

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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