Insulated gate transistor, active matrix substrate, liquid crystal display unit, and method of production of same

WO2010071159 Art A1 24. Juni 2010

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010071159
Aktenzeichen: EP09833462
Anmeldetag: 16. Dezember 2009
Veröffentlichung: 24. Juni 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336G02F1/1368G09F9/30H01L21/316H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

22.799 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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