Method for forming thin film resistor and terminal bond pad simultaneously

WO2010072666 Art A1 1. Juli 2010

Anmelder: International Business Machines Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010072666
Aktenzeichen: EP09802132
Anmeldetag: 18. Dezember 2009
Veröffentlichung: 1. Juli 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/60H01L21/768H01L21/02H01L23/522H01C17/075H01L23/532

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: International Business Machines Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 IBM

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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