Sputtering target and method of film formation

WO2010074171 Art A1 1. Juli 2010

Anmelder: Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010074171
Aktenzeichen: EP09834969
Anmeldetag: 24. Dezember 2009
Veröffentlichung: 1. Juli 2010
Rechtsraum: WO
IPC: C23C14/34C22C1/05C22C19/07G11B5/851H01F10/16H01F41/18B22F3/14

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Mitsui Mining & Smelting

Japanisches Unternehmen mit Sitz in Tokio, tätig in der Verarbeitung von Nichteisenmetallen sowie der Herstellung von Materialien für die Elektronikindustrie.

902 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

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