Fabricating a gallium nitride layer with diamond layers

WO2010075124 Art A1 1. Juli 2010

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010075124
Aktenzeichen: EP09796531
Anmeldetag: 16. Dezember 2009
Veröffentlichung: 1. Juli 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/335H01L29/267H01L29/778H01L29/16

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Raytheon Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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