Semiconductor devices including dual gate structures and methods of forming such semiconductor devices

WO2010078340 Art A2 8. Juli 2010

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010078340
Aktenzeichen: EP09837115
Anmeldetag: 29. Dezember 2009
Veröffentlichung: 8. Juli 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L21/31H01L21/8239

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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