Reaction vessel for growing single crystal, and method for growing single crystal

WO2010079655 Art A1 15. Juli 2010

Anmelder: NGK Insulators, Ltd., Toyoda Gosei Co., Ltd., Osaka University 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010079655
Aktenzeichen: EP09837541
Anmeldetag: 26. November 2009
Veröffentlichung: 15. Juli 2010
Rechtsraum: WO
IPC: C30B9/10C30B29/38

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: NGK Insulators, Ltd.
Toyoda Gosei Co., Ltd.
Osaka University
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NGK Insulators

Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.

3.021 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Osaka University

Staatliche Universität in Osaka, Japan, eine der führenden Forschungsuniversitäten des Landes mit Schwerpunkten in Naturwissenschaften, Medizin und Ingenieurwesen.

1.047 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von