Precursor addition to silicon oxide cvd for improved low temperature gapfill

WO2010080216 Art A2 15. Juli 2010

Anmelder: Applied Materials, Inc., Ingle, Nitin K., Gee, Paul Edward 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010080216
Aktenzeichen: EP09837780
Anmeldetag: 19. November 2009
Veröffentlichung: 15. Juli 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205H01L21/31H01L21/76

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Applied Materials, Inc.
Ingle, Nitin K.
Gee, Paul Edward
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von