Programming A Memory Cell With A Diode in Series By Applying Reverse Bias

WO2010080334 Art A1 15. Juli 2010

Anmelder: SanDisk 3D LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2010080334
Aktenzeichen
EP09798986
Anmeldetag
11. Dezember 2009
Veröffentlichung
15. Juli 2010
Rechtsraum
WO
IPC
G11C11/56G11C13/00G11C16/02G11C13/02
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
SanDisk 3D LLC
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 SanDisk 3D

SanDisk 3D war eine auf dreidimensionale Speichertechnologien spezialisierte Tochtergesellschaft von SanDisk, heute Teil von Western Digital. Das Patentportfolio konzentriert sich sehr stark auf Halbleiterbauelemente sowie Akustik- und Datenspeichertechnik. Die Anmeldungen aus 2001 bis 2014 betreffen unter anderem vertikale Feldeffekttransistoren und 1T-1R-Speicherzellen.

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