Quad memory cell and method of making same
WO2010080437
Art A2
15. Juli 2010
Anmelder: SanDisk 3D LLC 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2010080437
- Aktenzeichen
- EP09796891
- Anmeldetag
- 16. Dezember 2009
- Veröffentlichung
- 15. Juli 2010
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L27/02H01L27/102H01L29/861G11C13/02G11C16/02G11C17/16H01L27/06H01L27/24H01L27/28
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SanDisk 3D LLC
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
SanDisk 3D
SanDisk 3D war eine auf dreidimensionale Speichertechnologien spezialisierte Tochtergesellschaft von SanDisk, heute Teil von Western Digital. Das Patentportfolio konzentriert sich sehr stark auf Halbleiterbauelemente sowie Akustik- und Datenspeichertechnik. Die Anmeldungen aus 2001 bis 2014 betreffen unter anderem vertikale Feldeffekttransistoren und 1T-1R-Speicherzellen.
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