Spacer formation for array double patterning

WO2010080655 Art A2 15. Juli 2010

Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010080655
Aktenzeichen: EP09838014
Anmeldetag: 22. Dezember 2009
Veröffentlichung: 15. Juli 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/027

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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