Spacer and gate dielectric structure for programmable high-k/metal gate memory transistors integrated with logic transistors and method of forming the same

WO2010081616 Art A1 22. Juli 2010

Anmelder: International Business Machines Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010081616
Aktenzeichen: EP09796725
Anmeldetag: 21. Dezember 2009
Veröffentlichung: 22. Juli 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L21/336H01L29/792H01L27/115H01L21/8234H01L29/51H01L29/423H01L29/49H01L21/8247H01L21/8239

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: International Business Machines Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 IBM

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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