Process flow for directly contacting the metal gate on a high-k gate dielectric

WO2010081804 Art A1 22. Juli 2010

Anmelder: International Business Machines Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010081804
Aktenzeichen: EP10700244
Anmeldetag: 12. Januar 2010
Veröffentlichung: 22. Juli 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: International Business Machines Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 IBM

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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