Base material etching mechanism, vacuum process device and base material etching method

WO2010082340 Art A1 22. Juli 2010

Anmelder: Nissin Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010082340
Aktenzeichen: EP09838308
Anmeldetag: 16. Januar 2009
Veröffentlichung: 22. Juli 2010
Rechtsraum: WO
IPC: C23F4/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Nissin Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nissin Electric

Nissin Electric ist ein japanischer Hersteller elektrischer Anlagen und Halbleiterfertigungsausrüstung mit Sitz in Kyoto. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleitertechnik und Metallurgie, ergänzt durch Schaltungs- und Energietechnik. Die Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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