Silicon-dot forming method, and silicon-dot forming apparatus

WO2010082345 Art A1 22. Juli 2010

Anmelder: Nissin Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2010082345
Aktenzeichen
EP09838313
Anmeldetag
19. Januar 2009
Veröffentlichung
22. Juli 2010
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/205C23C16/24C23C16/507
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Nissin Electric Co., Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Nissin Electric

Nissin Electric ist ein japanischer Hersteller elektrischer Anlagen und Halbleiterfertigungsausrüstung mit Sitz in Kyoto. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleitertechnik und Metallurgie, ergänzt durch Schaltungs- und Energietechnik. Die Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2025.

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