Gallium nitride substrate, method for manufacturing gallium nitride substrate and semiconductor device

WO2010082358 Art A1 22. Juli 2010

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010082358
Aktenzeichen: EP09838326
Anmeldetag: 20. Januar 2009
Veröffentlichung: 22. Juli 2010
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/38

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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