Thin film diode and method for manufacturing same

WO2010084534 Art A1 29. Juli 2010

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010084534
Aktenzeichen: EP09838728
Anmeldetag: 26. August 2009
Veröffentlichung: 29. Juli 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/329H01L21/20H01L21/265H01L21/8234H01L27/06H01L27/08H01L27/146H01L29/861H01L31/10

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

22.799 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von