Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and liquid crystal device

WO2010084657 Art A1 29. Juli 2010

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010084657
Aktenzeichen: EP09838847
Anmeldetag: 5. November 2009
Veröffentlichung: 29. Juli 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786G02F1/1368H01L21/205H01L21/283H01L21/316H01L21/318H01L21/336H01L29/423H01L29/49

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

22.799 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

Vertreten von