Group iiib nitride crystal manufacturing method

WO2010084681 Art A1 29. Juli 2010

Anmelder: NGK Insulators, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010084681
Aktenzeichen: EP09838871
Anmeldetag: 21. Dezember 2009
Veröffentlichung: 29. Juli 2010
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/38C30B19/10

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: NGK Insulators, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NGK Insulators

Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.

3.021 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von