Nonvolatile memory cell, resistance variable nonvolatile memory device and method for designing nonvolatile memory cell

WO2010084774 Art A1 29. Juli 2010

Anmelder: Osaka University 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010084774
Aktenzeichen: EP10733381
Anmeldetag: 25. Januar 2010
Veröffentlichung: 29. Juli 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/10G11C13/00H01L45/00H01L49/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Osaka University
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Osaka University

Staatliche Universität in Osaka, Japan, eine der führenden Forschungsuniversitäten des Landes mit Schwerpunkten in Naturwissenschaften, Medizin und Ingenieurwesen.

2.434 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von