Methods for fabricating mos devices having epitaxially grown stress-inducing source and drain regions

WO2010085757 Art A1 29. Juli 2010

Anmelder: Globalfoundries Inc. 🇰🇾

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010085757
Aktenzeichen: EP10702782
Anmeldetag: 25. Januar 2010
Veröffentlichung: 29. Juli 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8234H01L21/8238

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Globalfoundries Inc.
Land: 🇰🇾 KY

🇰🇾 GlobalFoundries

GlobalFoundries ist ein Halbleiterhersteller, der als Auftragsfertiger (Foundry) Chips für zahlreiche Kunden produziert; die Gesellschaft ist auf den Cayman Islands registriert. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter- und elektrische Bauelemente sowie Software. Die Anmeldungen von 2000 bis 2018 betreffen unter anderem Kontaktstrukturen und Fertigungsverfahren für Halbleiterbauelemente.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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