Etching system and method for forming multiple porous semiconductor regions with different optical and structural properties on a single semiconductor wafer

WO2010086059 Art A1 5. August 2010

Anmelder: International Business Machines Corporation, Globalfoundries Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2010086059
Aktenzeichen
EP09796666
Anmeldetag
9. Dezember 2009
Veröffentlichung
5. August 2010
Rechtsraum
WO
IPC
C25F7/00C25F3/14H01L21/3063
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
International Business Machines Corporation
Globalfoundries Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 IBM

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.

12.044 Patente in unserer Datenbank

🇰🇾 GlobalFoundries

GlobalFoundries ist ein Halbleiterhersteller, der als Auftragsfertiger (Foundry) Chips für zahlreiche Kunden produziert; die Gesellschaft ist auf den Cayman Islands registriert. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter- und elektrische Bauelemente sowie Software. Die Anmeldungen von 2000 bis 2018 betreffen unter anderem Kontaktstrukturen und Fertigungsverfahren für Halbleiterbauelemente.

231 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen