Graded well implantation for asymmetric transistors having reduced gate electrode pitches

WO2010086153 Art A1 5. August 2010

Anmelder: Advanced Micro Devices, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010086153
Aktenzeichen: EP10701632
Anmeldetag: 27. Januar 2010
Veröffentlichung: 5. August 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/266H01L21/336H01L29/10H01L21/8234H01L29/78H01L21/3115H01L21/311H01L21/027

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Advanced Micro Devices, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Advanced Micro Devices

US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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