In situ formed drain and source regions including a strain inducing alloy and a graded dopant profile
WO2010086154
Art A1
5. August 2010
Anmelder: Advanced Micro Devices, Inc., Amd Fab 36 Llimited Liability Company&Co. Kg 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2010086154
- Aktenzeichen
- EP10702429
- Anmeldetag
- 27. Januar 2010
- Veröffentlichung
- 5. August 2010
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/336H01L21/225H01L21/265H01L29/51H01L29/165H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Advanced Micro Devices, Inc.
Amd Fab 36 Llimited Liability Company&Co. Kg - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
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