Process for fabricating nonvolatile storage

WO2010087000 Art A1 5. August 2010

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010087000
Aktenzeichen: EP09839190
Anmeldetag: 30. Januar 2009
Veröffentlichung: 5. August 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/10G11B9/04H01L45/00H01L49/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Kabushiki Kaisha Toshiba
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

13.649 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen