Nonvolatile semiconductor storage device and method for manufacturing same

WO2010087265 Art A1 5. August 2010

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010087265
Aktenzeichen: EP10735734
Anmeldetag: 21. Januar 2010
Veröffentlichung: 5. August 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8247H01L27/115H01L29/788H01L29/792

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Kabushiki Kaisha Toshiba
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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