Integrated Silicon-Based Nonlinear Photodetector

WO2010087885 Art A2 5. August 2010

Anmelder: Massachusetts Institute of Technology 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010087885
Aktenzeichen: EP09839448
Anmeldetag: 3. November 2009
Veröffentlichung: 5. August 2010
Rechtsraum: WO
IPC: G02B6/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Massachusetts Institute of Technology
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Massachusetts Institute of Technology

US-amerikanische Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts, eine der weltweit führenden Forschungseinrichtungen. Aktiv in nahezu allen technischen und naturwissenschaftlichen Feldern, darunter Informatik, Ingenieurwesen, Materialwissenschaften und Biotechnologie.

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Fachgebiete

Optik & Fototechnik

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