Memory having negative voltage write assist circuit and method therefor
WO2010088042
Art A2
5. August 2010
Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2010088042
- Aktenzeichen
- EP10736188
- Anmeldetag
- 13. Januar 2010
- Veröffentlichung
- 5. August 2010
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C11/416G11C11/413G11C5/14G11C7/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Freescale Semiconductor, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
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