Semiconductor inspection method and device that consider the effects of electron beams
WO2010089960
Art A1
12. August 2010
Anmelder: Hitachi High-Technologies Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2010089960
- Aktenzeichen
- EP10738304
- Anmeldetag
- 20. Januar 2010
- Veröffentlichung
- 12. August 2010
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/66G01R31/28H01J37/22
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Hitachi High-Technologies Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Hitachi High-Tech Corporation
Japanisches Unternehmen der Hitachi-Gruppe, spezialisiert auf Analysegeräte, medizinische Diagnostik und Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie.
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