Nonvolatile semiconductor memory device and fabrication method therefor
WO2010090187
Art A1
12. August 2010
Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2010090187
- Aktenzeichen
- EP10738519
- Anmeldetag
- 2. Februar 2010
- Veröffentlichung
- 12. August 2010
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/8247H01L21/314H01L21/316H01L21/8242H01L27/108H01L27/115H01L29/78H01L29/788H01L29/792
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Kabushiki Kaisha Toshiba
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Toshiba
Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.
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