Epitaxial wafer, method for manufacturing gallium nitride semiconductor device, gallium nitride semiconductor device and gallium oxide wafer

WO2010090262 Art A1 12. August 2010

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd., Koha Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010090262
Aktenzeichen: EP10738593
Anmeldetag: 4. Februar 2010
Veröffentlichung: 12. August 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205C30B29/38H01L33/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Koha Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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